学术成果：
论文
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[1] 陈之战·In situ XPS spectroscopic study of thermal stability of W/Ni bilayer Ohmic contact to n-type 4H-SiC·JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,卷: 127期: 17
科研项目
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[1] 陈之战.973计划前期研究专项（2012CB326402）学校配套之二,在研
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[2] 陈之战.973计划前期研究专项（2012CB326402）学校配套之二,在研
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[3] 陈之战.激光与碳化硅的热效应研究,在研
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[4] 陈之战.碳化硅功率器件关键技术研究,在研
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[5] 陈之战.973计划前期研究专项（2012CB326402）学校配套之一,在研
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[6] 陈之战.碳化硅欧姆接触制备新方法及形成机理研究,在研
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[7] 陈之战.973计划前期研究专项（2012CB326402）学校配套之三,在研
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[8] 陈之战.电力电子器件用4英寸4H-SiC晶体生长研究,在研
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[9] 陈之战.碳化硅高温压力传感器设计及工艺开发,验收
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[10] 陈之战.4英寸4H-SiC晶体生长技术开发,在研
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[11] 陈之战.脉冲功率半导体开关关键技术研究,验收
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[12] 陈之战.硅光芯片开发二,在研
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[13] 陈之战.电力电子器件用4英寸4H-SiC晶体生长研究,在研
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[14] 陈之战.高纯半绝缘SiC晶体生长及半绝缘机制研究,验收
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[15] 陈之战.宽禁带半导体材料技术开发,在研
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[16] 陈之战.973计划前期研究专项（2012CB326402）学校配套之一,在研
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[17] 陈之战.飞秒激光辐照碳化硅研究,在研
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[18] 陈之战.硅光芯片研发,在研
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[19] 陈之战.973计划前期研究专项（2012CB326402）学校配套之三,在研
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[20] 陈之战.超快大功率碳化硅光导开关关键科学问题研究,验收
专利成果
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[1] 赵高杰,陈之战,刘益宏,孙玉俊. 基于重掺杂4H-SiC衬底的高温压力传感器工艺. 中国专利:ZL201410550475.8,2017-02-15.
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[2] 赵高杰,孙玉俊,刘益宏,廖黎明,刘少雄,李星月,姜舒月,陈之战. 一种基于微电镀的MEMS微型阵列结构加工工艺. 中国专利:申请状态(申请号:201510675743.3).
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[3] 卢吴越,张永平,程越,谈嘉慧,赵高杰,刘益宏,孙玉俊,陈之战,石旺舟. 一种用紫外脉冲激光辐照制备SiC欧姆接触的方法. 中国专利:申请状态(申请号:201310683365.4).
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[4] 张永平,陈之战,石旺舟,卢吴越,谈嘉慧,程越,李薛. 半绝缘碳化硅衬底钛欧姆接触电极的制备方法. 中国专利:ZL201310017053.X,2015-10-21.
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[5] 谈嘉慧,陈之战,石旺舟,何鸿,张永平. 纳米结构阵列材料及其制备方法. 中国专利:ZL201410356646.3,2017-12-01.
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[6] 张永平,卢吴越,谈嘉慧,程越,赵高杰,孙玉俊,刘益宏,陈恩龙,李万荣,陈之战,石旺舟. 一种基于SiC衬底光导开关制作方法. 中国专利:申请状态(申请号:201310681216.4).
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[7] 闫爱民,胡志娟,吕聪玲,张静涛,陈之战,石旺舟. 可调谐环形腔激光脉冲滤波整形装置. 中国专利:ZL201410559337.6,2017-08-25.
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[8] 谈嘉慧,何鸿,张永平,陈之战,石旺舟. 碳化硅介孔阵列材料及其制备方法. 中国专利:ZL201410314566.1,2017-01-18.
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[9] 卢吴越,陈之战,程越,谈嘉慧. 一种用激光辐照处理制备SiC欧姆接触的方法. 中国专利:申请状态(申请号:201410341931.8).
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[10] 刘益宏,陈之战,赵高杰,孙玉俊. 基于SiC衬底片深刻蚀光滑表面的加工工艺. 中国专利:申请状态(申请号:201410848217.8).
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